|
科技动态
来源:环球网
时间:2023-06-08
6月6日消息,据英特尔方面消息,其在产品级测试芯片上实现背面供电(backside power delivery)技术,以满足迈向下一个计算时代的性能需求。
据介绍,作为英特尔的背面供电解决方案,PowerVia将于2024年上半年在Intel 20A制程节点上推出。通过将电源线移至晶圆背面,PowerVia解决了芯片单位面积微缩中日益严重的互连瓶颈问题。
英特尔技术开发副总裁Ben Sell表示,“英特尔正在积极推进‘四年五个制程节点’计划,并致力于在2030年实现在单个封装中集成一万亿个晶体管,PowerVia对这两大目标而言都是重要里程碑。通过采用已试验性生产的制程节点及其测试芯片,英特尔降低了将背面供电用于先进制程节点的风险,将背面供电技术推向市场。”
据悉,英特尔将PowerVia技术和晶体管的研发分开进行,以确保PowerVia可以被妥善地用于Intel 20A和Intel 18A制程芯片的生产中。在与同样将与Intel 20A制程节点一同推出的RibbonFET晶体管集成之前,PowerVia在其内部测试节点上进行了测试,以不断调试并确保其功能良好。英特尔方面称,经在测试芯片上采用并测试PowerVia,证实了这项技术确实能显著提高芯片的使用效率,单元利用率(cell utilization)超过90%,并有助于实现晶体管的大幅微缩,让芯片设计公司能够提升产品性能和能效。
国际电力网声明:本文仅代表作者本人观点,与国际电力网无关,文章内容仅供参考。凡注明“来源:国际电力网”的所有作品,版权均属于国际电力网,转载时请署名来源。
本网转载自合作媒体或其它网站的信息,登载此文出于传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其描述。如因作品内容、版权和其它问题请及时与本网联系。
信义光能 10分钟前
中核二三 17分钟前
中电联统计与数据中心 19分钟前
图片正在生成中...